场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是电子学中的一种半导体晶体管，可以用来放大或者开关电路。根据不同型号的场效应管具有不同的工作原理，但大致可以分为三类：JFET（结型场效应管），MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。
以MOSFET为例，其工作原理是通过控制栅极电场的大小调节导电道中的电子流。MOSFET有三个电极：源极、漏极和栅极。源极和漏极之间的区域被称为导电道，其中的电子流可以被栅极电场控制。当栅极电场很小时，导电道中的电子流很大，电流可以通过整个器件，此时MOSFET处于导通状态；当栅极电场增大时，导电道中的电子流被控制得很小，此时MOSFET处于截止状态。
场效应管有广泛的应用，常见于模拟电路和数字电路中。其中，MOSFET是集成电路的重要组成部分，也广泛应用于各种电子设备中，例如手机、电脑、电视等等。
